氮化镓（GaN）作为半导体第三代材料，近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域，源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性，确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光

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